2013年10月12日，中科院前沿局組織專家在中科院嘉興對微電子所承擔(dān)的院知識創(chuàng)新工程重要方向項(xiàng)目“等離子體浸沒離子注入制備黑硅及太陽電池技術(shù)研究”進(jìn)行了現(xiàn)場驗(yàn)收。專家組由來自上海交通大學(xué)、中山大學(xué)、浙江大學(xué)、蘇州納米所等八家單位的專家組成。前沿局劉桂菊副局長、微電子所陳大鵬副所長、項(xiàng)目負(fù)責(zé)人夏洋研究員及項(xiàng)目組骨干等出席了會議，會議由前沿局技術(shù)科學(xué)處趙慧斌副處長主持。 

　　該項(xiàng)目創(chuàng)新性地采用等離子體浸沒離子注入方法制備黑硅，制備的多晶硅片反射率低至1%（在可見光波段內(nèi)），表面微觀結(jié)構(gòu)和反射率可控。通過系統(tǒng)研究，研制的多晶黑硅電池轉(zhuǎn)換效率最高達(dá)18.3%。小批量試產(chǎn)表明工藝穩(wěn)定。 

　　專家組認(rèn)真聽取了項(xiàng)目負(fù)責(zé)人的匯報，審閱了項(xiàng)目組提交的驗(yàn)收材料，經(jīng)過充分討論、質(zhì)詢和評議后，一致同意該項(xiàng)目通過驗(yàn)收，并對項(xiàng)目組取得的研究成果給予高度評價，認(rèn)為該項(xiàng)目的完成將對現(xiàn)有晶硅太陽能電池生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)升級優(yōu)化，提升我國太陽能電池裝備領(lǐng)域的技術(shù)水平，將為我國光伏產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展、升級提供必要的技術(shù)積累，具有前瞻性和深遠(yuǎn)的戰(zhàn)略意義。 

驗(yàn)收會現(xiàn)場